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金融时报：中国芯片巨头增长势头迅猛，威胁韩国主导地位 中国领先的存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）正在快速抢占全球市场份额，对韩国竞争对手构成挑战。 与此同时，中国的人工智能领域也在崛起，OpenAI的竞争对手DeepSeek正助力北京减少对外国技术的依赖。 总部位于中国安徽省合肥市的长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，CXMT）自2020年几乎为零的市场份额，到2023年已占全球900亿美元DRAM存储芯片市场的5%。 根据总部位于深圳的咨询公司前瞻产业研究院的数据，分析师预计其增长可能会迅速“滚雪球式”扩大。 该公司还正在积极进军高速增长的高带宽存储（HBM）市场。 HBM是运行人工智能系统（如OpenAI的ChatGPT）的关键组件，而DeepSeek作为价格更低的中国替代方案，也正在加剧竞争。 长鑫存储的崛起，威胁到韩国芯片制造商的主导地位 长鑫存储的崛起正在挑战三星和SK海力士等韩国芯片制造商的传统市场主导地位。 这两家公司与美国竞争对手美光（Micron）合计占据2023年DRAM市场96%的营收份额。 野村证券亚太区股票研究联席主管郑钟源表示，随着长鑫存储的崛起，韩国芯片制造商正面临新的现实，即市场低端产品被中国制造商大量供应。 郑钟源补充道，这并不是技术上的优劣之争，而是供应量的问题，这意味着尤其是三星正因供过于求和芯片价格下跌而受到严重冲击。 从零起步，中国存储芯片产业迅猛发展 2016年，长鑫存储成立之时，中国几乎不具备自主生产DRAM芯片的能力，而DRAM芯片广泛应用于服务器，计算机和移动设备。 然而，在阿里巴巴以及中国政府支持的“大基金”投资下，该公司在2019年开始量产DDR4芯片，当时这类产品是最先进的DRAM存储芯片之一。 根据半导体行业咨询公司SemiAnalysis的数据，长鑫存储去年开始量产DDR5存储芯片。 DDR5最早由SK海力士于2020年商业化，目前是最先进的DRAM存储芯片类别。 野村证券的报告显示，长鑫存储还在大幅提高DDR4的产能，其月产能从2022年的7万片晶圆增长到2024年底预计的20万片。这一增速将使其市场份额达到全球DRAM市场的15%。 价格战迫使韩国芯片制造商退出低端市场 长鑫存储的大规模生产导致老款DRAM芯片价格下降，挤压了三星和SK海力士的利润空间，并迫使韩国厂商逐步退出低端市场。 上个月，三星宣布将减少对传统存储半导体的依赖，因为DRAM和NAND产品的增长有限。 三星的运营利润在去年第三季度到第四季度之间下降了29%，而SK海力士上个月承认，长鑫存储的扩张导致其第四季度运营利润低于分析师预期。 “滚雪球效应”推动长鑫存储的市场扩张 科技咨询公司TechInsights副董事长G·丹·哈奇森（G Dan Hutcheson）表示，尽管长鑫存储的全球市场份额仍然相对较小，且主要集中在中国，但其在高度商品化的DRAM市场上的快速进展正形成“滚雪球效应”。 哈奇森表示，市场份额越大，出货量越高，良品率越高，成本越低，进而再次扩大市场份额。 这正是韩国企业在20世纪80年代和90年代如何将日本企业挤出存储芯片市场的方式，而如今类似的情况正在发生在他们自己身上。 长鑫存储利用美国出口管制漏洞获取先进设备 分析人士指出，自2023年以来，长鑫存储一直在利用美国出口管制的漏洞，获得用于生产最先进芯片的美国半导体制造设备。 此外，该公司在去年更新的美国商务部实体清单中并未被列入，这使其仍然能够与美国企业开展业务。 美国兰德公司技术分析高级顾问吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示，直到现在，长鑫存储是否受到任何出口限制仍然不完全清楚。 长鑫存储正在建设新工厂以扩展HBM生产 据知情人士透露，长鑫存储目前正在上海东部建设一座28万平方米的芯片制造工厂，其中包括生产HBM2产品的能力。 这一产品比英伟达供应商SK海力士计划今年推出的HBM4芯片还差一点。 长鑫存储没有对置评请求作出回应。 HBM2的扩产预计将对三星形成更大压力。 目前，三星仍在努力通过英伟达的严格测试，以获得HBM供应商资格。 哈奇森表示，三星正处于‘夹心层’的困境，高端市场被SK海力士和美光挤压，低端市场则被长鑫存储蚕食。    来源： https://www.ft.com/content/b6f89d2b-5fe2-4a8f-a7cc-c75989e27544 Christian Davies and Song Jung-a in Seoul and Zijing Wu in Hong Kong February 10 2025 |
