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TrendForce:中国在存储芯片和芯片制造领域取得进展，被指正在缩小与韩国和台湾的差距 据韩国媒体Pulse报道，尽管中国短期内可能无法在半导体行业占据主导地位，但该国确实正在扰乱传统上由韩国,台湾和美国主导的行业。 报道引用中芯国际等公司的例子，展示了中国在这一领域的突破。 中芯国际能在2030年代中期挑战台积电吗？ 得益于晶圆生产能力和销售额的强劲增长，中芯国际第三季度的收入同比增长34%，达到21.7亿美元，创下单季度收入首次突破20亿美元的纪录。 同时，据其新闻稿显示,其整体产能利用率提升至90.4%，毛利率增长至20.5%。 尽管中芯国际被禁止从ASML采购最先进的光刻设备，但Pulse报道指出，台积电目前将中芯国际视为主要竞争对手，因为许多台积电的关键研发和工艺工程人员已被中芯国际招募。 报道还引用了首尔成均馆大学（Sungkyunkwan University）权锡俊教授的观点。 中芯国际的首席执行官梁孟松曾是台积电的半导体资深人士。据报道，今年早些时候，中芯国际利用DUV设备成功开发了5nm工艺节点。 此外，报道还提到，中芯国际此前已经成功开发了7nm工艺，与台积电2018-2019年的第一代7nm工艺类似，这些成果是在美国对先进设备实施出口限制的情况下取得的。 尽管中芯国际在良品率方面仍面临挑战，在先进工艺上也落后于韩国和台湾，但报道指出，这家成立于2000年的公司已经显著缩小了技术差距。 报道还引用权教授的预测称，由中芯国际引领的中国晶圆代工行业在未来十年内，10nm及以上制程和中端技术的市场份额可能会翻倍甚至三倍增长。 他进一步预测，随着政府持续的补贴和战略投资，中芯国际或能在2030年代中期挑战台积电。 内存领域的积极扩展 另一方面，中国在存储芯片领域也表现出积极态势。 例如，中芯国际正在从代工扩展到内存生产，目标是成为类似于三星的综合设备制造商（IDM）。 报道指出，中国公司在DDR4生产方面已处于市场领先地位，并正在迈向DDR5的量产。 例如，大型DRAM生产商目前集中生产低端内存，包括基于17-18nm的DDR和低功耗DRAM（LPDDR4X）。 此外，像福建晋华集成电路公司这样的中国企业正在大幅降低DDR4价格，提供比三星和SK海力士更便宜的芯片。 根据TrendForce的预测，明年全球DRAM产量将比今年增长25%，如果排除中国供应商，这一增幅为21%。 报道援引延世大学（Yonsei University）金贤载教授的警告称：“中国DRAM产量的扩张对韩国半导体企业构成了最大威胁。” 总体而言，Pulse报告指出，中国通过巨额补贴和低成本芯片，特别是在消费电子,汽车和工业设备使用的传统半导体领域，可能会对市场造成潜在的干扰，而这些产品占据全球半导体需求的75%。   来源： https://www.trendforce.com/news/ ... d-taiwanese-giants/ https://www.asiafinancial.com/ch ... n-of-newest-ai-chip 2024-11-22 Semiconductors editor News |
