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彭博社：尽管美国加强了限制，中国声称在芯片制造设备方面还是取得了新进展 中国宣称在国产芯片制造设备的开发上取得了突破，这是克服美国制裁，实现北京半导体目标的重要一步。 中国工业和信息化部本月在一份公告中表示，国家关联机构被建议使用一种新的基于激光的浸入式光刻机，其分辨率为65纳米或更高。 尽管公告中未指明供应商，但这一规格标志着比此前最先进的国产设备，由上海微电子装备集团（SMEE）开发的设备，约90纳米的分辨率有了显著提升。 芯片制造设备是中国半导体雄心的关键瓶颈之一，而美国正试图遏制这一雄心。 像上海微电子这样的公司正在努力开发能够缩小与ASML控股公司等供应商差距的机器，而这些供应商目前已被禁止向中国发货。 工信部上周宣称的进展表明，国产竞争对手在开发更先进的机器方面开始取得进展，尽管上海微电子及其同行距离赶上ASML这样的公司仍有很长的路要走。 设备的分辨率决定了集成电路能够在硅片上印刻的规模，而ASML最好的光刻机现在的分辨率大约是8纳米。提高晶体管密度的一种方法是多次蚀刻低分辨率图案，这也是华为采用的策略，这有助于缩小差距。 然而，由美国主导的限制中国获得先进芯片和芯片制造设备的贸易行动，已经抑制了中国在开发如人工智能这类需要最先进半导体的前沿技术方面的竞争力。 在公告中，工信部还列出了其他希望得到更广泛使用的国产芯片相关设备，包括氧化炉和干法蚀刻设备。 中国的半导体制造商很少公开其芯片制造技术的细节，因为这一领域已被北京视为对国家安全“具有战略意义”。 张江集团（Zhangjiang Group）在2023年宣布，上海微电子已经开发出一台可以制造28纳米芯片的光刻机。 尚不清楚这台机器是否已投入生产，也不清楚它与工信部上周的公告有何关系。 尽管普遍认为中国很难在当前的技术水平上取得更大的突破，正如一年前华为推出的7纳米麒麟手机芯片所展示的那样，但缺乏透明度引发了华盛顿对其贸易限制效果的担忧。 拜登政府已经对中国实施了广泛的出口管制，同时也敦促荷兰对ASML在中国的业务实施更严格的限制。 中国依赖ASML的浸没式深紫外光刻系统来推进其芯片制造技术，因为该国尚未能开发出同样能力的设备。   来源： https://www.bloomberg.com/news/a ... tightening-us-curbs By Yuan Gao September 16, 2024 at 6:08 PM GMT+10 |
